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Mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction

ID: MRFR/SEM/31833-HCR
128 Pages
Aarti Dhapte
October 2025

Informe de Investigación del Mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction por Aplicación (Energía Renovable, Automotriz, Electrónica de Consumo, Automatización Industrial, Telecomunicaciones), por Tipo (Transistor Bipolar de Puerta Aislada, MOSFET de Super Junction, MOSFET de SiC, MOSFET de GaN), por Uso Final (Electrónica de Potencia, Accionamientos de Motores, Fuentes de Alimentación conmutadas, Sistemas de Almacenamiento de Energía), por Clasificación de Voltaje (Bajo Voltaje, Voltaje Medio, Alto Voltaje) y por Región (América del Norte, Eu... leer más

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IGBT and Super Junction MOSFET Market Infographic
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Mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction Resumen

Según el análisis de MRFR, se estimó que el tamaño del mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction fue de 17.34 mil millones de USD en 2024. Se proyecta que la industria de IGBT y MOSFET de Super Junction crecerá de 18.27 mil millones de USD en 2025 a 30.83 mil millones de USD para 2035, exhibiendo una Tasa de Crecimiento Anual Compuesto (CAGR) de 5.37 durante el período de pronóstico 2025 - 2035.

Tendencias clave del mercado y aspectos destacados

El mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction está preparado para un crecimiento sustancial impulsado por los avances tecnológicos y la creciente demanda en diversos sectores.

  • El mercado de América del Norte sigue siendo el más grande para IGBT y MOSFET de Super Junction, principalmente debido a sus robustos sectores automotriz e industrial.
  • Asia-Pacífico está emergiendo como la región de más rápido crecimiento, impulsada por los rápidos avances en la tecnología de semiconductores y el aumento de la producción de vehículos eléctricos.
  • El segmento de energía renovable domina el mercado, mientras que el segmento automotriz está experimentando el crecimiento más rápido, reflejando las cambiantes preferencias de los consumidores.
  • Los principales impulsores del mercado incluyen la creciente demanda de eficiencia energética y la creciente adopción de fuentes de energía renovable, que están impulsando la expansión del mercado.

Tamaño del mercado y previsión

2024 Market Size 17.34 (mil millones de USD)
2035 Market Size 30.83 (mil millones de USD)
CAGR (2025 - 2035) 5.37%

Principales jugadores

Infineon Technologies (DE), Mitsubishi Electric (JP), ON Semiconductor (US), STMicroelectronics (FR), Texas Instruments (US), Toshiba (JP), Nexperia (NL), Renesas Electronics (JP), Vishay Intertechnology (US)

Mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction Tendencias

El mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction está experimentando actualmente una evolución dinámica, impulsada por la creciente demanda de soluciones energéticamente eficientes en diversos sectores. Este mercado parece estar influenciado por el creciente énfasis en las fuentes de energía renovable, ya que las industrias buscan mejorar su eficiencia en la conversión de energía. Además, los avances en la tecnología de semiconductores probablemente jugarán un papel fundamental en la configuración del futuro de este mercado. A medida que los vehículos eléctricos y las aplicaciones de redes inteligentes ganan terreno, la necesidad de dispositivos de potencia de alto rendimiento se vuelve más pronunciada, lo que sugiere una trayectoria de crecimiento robusta para los IGBTs y los MOSFET de Super Junction. Además, la tendencia continua hacia la miniaturización e integración de componentes electrónicos se espera que impulse aún más el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction. Los fabricantes están enfocándose cada vez más en desarrollar dispositivos compactos y eficientes que puedan operar a voltajes y temperaturas más altos. Este cambio no solo mejora el rendimiento, sino que también se alinea con el impulso global hacia la sostenibilidad. A medida que el mercado continúa evolucionando, los interesados deben mantenerse alerta ante las tecnologías emergentes y las cambiantes preferencias de los consumidores, que podrían impactar significativamente la dinámica del mercado en los próximos años.

Demanda Creciente de Vehículos Eléctricos

La creciente adopción de vehículos eléctricos probablemente impulsará el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction. Estos dispositivos de potencia son esenciales para una gestión energética eficiente en los trenes de potencia eléctricos, lo que sugiere una fuerte correlación entre las tendencias automotrices y el crecimiento del mercado.

Avances en Tecnología de Semiconductores

Las innovaciones en materiales de semiconductores y procesos de fabricación parecen mejorar el rendimiento de los IGBTs y MOSFET de Super Junction. Esta tendencia indica un potencial para una mayor eficiencia y fiabilidad, lo que podría atraer más aplicaciones en diversas industrias.

Enfoque en Soluciones de Energía Renovable

El mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction. A medida que las industrias buscan optimizar la conversión de energía en aplicaciones solares y eólicas, se espera que la demanda de estos dispositivos aumente, reflejando un compromiso más amplio con la sostenibilidad.

Mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction Treiber

Expansión de la Automatización Industrial

La expansión de la automatización industrial es un motor clave para el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction. A medida que las industrias adoptan cada vez más tecnologías de automatización para mejorar la productividad y reducir los costos laborales, la demanda de electrónica de potencia avanzada está en aumento. Los IGBTs y los MOSFET de Super Junction son componentes esenciales en diversas aplicaciones de automatización, incluyendo accionamientos de motores y robótica. Se espera que el mercado de la automatización industrial experimente un crecimiento sustancial, con inversiones en fabricación inteligente e iniciativas de la Industria 4.0 que impulsan la necesidad de soluciones eficientes de gestión de energía. Este crecimiento en la automatización probablemente creará nuevas oportunidades para el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction, ya que los fabricantes buscan integrar estas tecnologías en sus sistemas.

Aumento de la demanda de eficiencia energética

El creciente énfasis en la eficiencia energética en diversas industrias es un factor importante para el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction. A medida que aumentan los costos de energía y se endurecen las regulaciones ambientales, las empresas buscan soluciones que minimicen el consumo de energía. Los IGBTs y los MOSFET de Super Junction son conocidos por su alta eficiencia en aplicaciones de conversión de energía, lo que los hace ideales para su uso en equipos industriales, sistemas HVAC y electrónica de consumo. Se proyecta que el mercado de tecnologías energéticamente eficientes crecerá, con muchas industrias adoptando estas soluciones para cumplir con los estándares regulatorios y reducir los costos operativos. Esta tendencia probablemente fortalecerá la demanda de tecnologías del mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction.

Avances tecnológicos en electrónica de potencia

Los avances tecnológicos en electrónica de potencia están influyendo significativamente en el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction. Las innovaciones en materiales semiconductores y procesos de fabricación han llevado al desarrollo de dispositivos más eficientes y confiables. Estos avances permiten frecuencias de conmutación más altas y un mejor rendimiento térmico, que son esenciales para aplicaciones modernas en automatización industrial, sistemas de energía renovable y vehículos eléctricos. El mercado está presenciando un cambio hacia diseños más compactos y eficientes, lo que probablemente mejorará la adopción de IGBTs y MOSFETs de Super Junction en varios sectores. A medida que la tecnología continúa evolucionando, se espera que la demanda de estas soluciones semiconductoras avanzadas aumente, impulsando aún más el mercado.

Crecimiento en la Producción de Vehículos Eléctricos

El sector de los vehículos eléctricos (EV) está experimentando un crecimiento sin precedentes, lo que sirve como un motor crucial para el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction. Con el impulso global hacia el transporte sostenible, los fabricantes de automóviles están aumentando la producción de vehículos eléctricos, lo que requiere electrónica de potencia avanzada para una gestión eficiente de la energía. Los IGBTs y los MOSFET de Super Junction desempeñan un papel vital en los trenes de potencia de los vehículos eléctricos, mejorando el rendimiento y la eficiencia. Se anticipa que el mercado de vehículos eléctricos se expanda rápidamente, con proyecciones que indican que para 2030, los vehículos eléctricos podrían representar un porcentaje sustancial de las ventas totales de vehículos. Esta tendencia subraya la creciente dependencia de las tecnologías del mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction en el sector automotriz.

Aumento de la adopción de fuentes de energía renovable

La transición hacia fuentes de energía renovable es un motor fundamental para el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction. A medida que las naciones se esfuerzan por reducir las emisiones de carbono, la demanda de tecnologías de conversión de energía eficientes ha aumentado. Los IGBTs y los MOSFET de Super Junction son fundamentales en los inversores solares y las aplicaciones de turbinas eólicas, facilitando la conversión de energía renovable en electricidad utilizable. Se proyecta que el mercado de energía renovable crecerá significativamente, con inversiones en energía solar y eólica que se espera alcancen billones de dólares para 2030. Este crecimiento se correlaciona directamente con la creciente necesidad de tecnologías avanzadas de semiconductores, impulsando así el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction.

Perspectivas del segmento de mercado

Por Aplicación: Energía Renovable (Más Grande) vs. Automotriz (Crecimiento Más Rápido)

El mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction demuestra un paisaje de aplicaciones diverso, con la Energía Renovable liderando la carga como el segmento más grande. Este sector encapsula diversas aplicaciones como inversores solares y convertidores de energía eólica. Justo detrás se encuentra el segmento Automotriz, influenciado significativamente por la creciente tendencia de los vehículos eléctricos, que se proyecta que aumentará su participación en el mercado. Otros segmentos notables incluyen Electrónica de Consumo, Automatización Industrial y Telecomunicaciones, cada uno contribuyendo a la dinámica general del mercado al atender necesidades tecnológicas específicas e innovaciones.

Aplicación: Energía Renovable (Dominante) vs. Automotriz (Emergente)

El segmento de Energía Renovable se erige como la fuerza dominante dentro del mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction, impulsado por el creciente énfasis global en soluciones energéticas sostenibles. Este segmento se dedica principalmente a aplicaciones como sistemas fotovoltaicos y sistemas de gestión de energía, beneficiándose de incentivos gubernamentales y de una creciente conciencia ambiental. En contraste, el segmento Automotriz está emergiendo rápidamente debido a los avances en vehículos eléctricos e híbridos. Este crecimiento es impulsado por la demanda de tecnologías energéticamente eficientes, presiones regulatorias para la reducción de emisiones e innovaciones en sistemas de gestión de baterías, señalando un cambio transformador en la electrificación automotriz.

Por tipo: Transistor bipolar de puerta aislada (más grande) frente a MOSFET de superjunción (de más rápido crecimiento)

El mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction se caracteriza por una diversa gama de valores de segmento, incluyendo Transistores Bipolares de Puerta Aislada (IGBT), MOSFET de Super Junction, MOSFET de SiC y MOSFET de GaN. Entre estos, los IGBT mantienen la mayor cuota de mercado debido a su amplio uso en diversas aplicaciones, desde sistemas de energía renovable hasta accionamientos industriales. Por otro lado, los MOSFET de Super Junction están ganando rápidamente tracción, reflejando una creciente demanda de soluciones de alta eficiencia en la electrónica de consumo y los sectores automotriz.

Tecnología: IGBT (Dominante) vs. MOSFET de Super Junction (Emergente)

Los Transistores Bipolares de Puerta Aislada (IGBT) son reconocidos por su alta eficiencia y capacidad para manejar niveles de potencia significativos, lo que los hace deseables para aplicaciones industriales y sistemas de energía renovable. Su presencia establecida en el mercado los consolida como una fuerza dominante. En contraste, los MOSFET de Super Junction están emergiendo como una opción convincente debido a su rendimiento superior en aplicaciones de alto voltaje y menores pérdidas de conmutación. Estos dispositivos son particularmente favorecidos en aplicaciones que requieren una gestión eficiente de la energía, como los vehículos eléctricos y las fuentes de alimentación avanzadas, lo que indica un cambio hacia la adopción de tecnologías más nuevas.

Por Uso Final: Electrónica de Potencia (Más Grande) vs. Accionamientos de Motores (Crecimiento Más Rápido)

El mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction muestra una distribución diversa entre varias aplicaciones finales. La Electrónica de Potencia tiene la mayor participación, impulsada por su extensa utilización en varios dispositivos, incluidos inversores y sistemas de control. Los Accionamientos de Motores, por otro lado, están ganando rápidamente atención en el mercado debido a los avances en tecnologías de vehículos eléctricos y automatización, convirtiéndose en un jugador crítico. Ambos segmentos demuestran una relevancia significativa en la alimentación de sistemas eléctricos modernos, sin embargo, sus contribuciones varían en magnitud y trayectorias de crecimiento. En los últimos años, las tendencias de crecimiento en estos segmentos han exhibido cambios dinámicos, con los Accionamientos de Motores superando a los demás como la categoría de más rápido crecimiento. Este aumento se debe en gran medida a la creciente demanda de soluciones energéticamente eficientes y a las rápidas innovaciones tecnológicas en los sectores automotriz e industrial. Mientras tanto, la Electrónica de Potencia sigue siendo un segmento robusto, respaldado por mejoras continuas en las tecnologías de semiconductores que apoyan una mayor eficiencia y rendimiento en aplicaciones de conversión de energía. Estas tendencias indican un panorama en evolución marcado por un énfasis en la sostenibilidad y la eficiencia en las soluciones de gestión de energía.

Electrónica de Potencia (Dominante) vs. Sistemas de Almacenamiento de Energía (Emergentes)

La Electrónica de Potencia se caracteriza por su amplia aplicabilidad en diversas industrias, facilitando la conversión eficiente de energía y sistemas de control en dispositivos que van desde la electrónica de consumo hasta la maquinaria industrial. El dominio de este segmento se atribuye a tecnologías establecidas y a inversiones significativas en mejoras, impulsando la fiabilidad y el rendimiento. Por otro lado, los Sistemas de Almacenamiento de Energía están emergiendo como un área vital dentro del Mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction, impulsados por la creciente necesidad de integración de energías renovables y estabilidad de la red. La demanda de estos sistemas está impulsada por los avances en tecnologías de baterías y un enfoque en la sostenibilidad, posicionando a los Sistemas de Almacenamiento de Energía como un área crítica de crecimiento que busca apoyar tanto aplicaciones residenciales como comerciales, alineándose con los objetivos globales de transición energética.

Por Clasificación de Voltaje: Alto Voltaje (Más Grande) vs. Bajo Voltaje (Crecimiento Más Rápido)

El mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction revela una clara distribución entre las clasificaciones de voltaje. Los dispositivos de alta tensión dominan el mercado ya que se utilizan extensamente en aplicaciones industriales y sistemas de conversión de energía. Por el contrario, los dispositivos de baja tensión han estado ganando rápidamente terreno debido a sus aplicaciones en electrónica de consumo y soluciones de energía renovable. Ambos segmentos reflejan preferencias estéticas distintas que se adaptan a avances tecnológicos específicos en la gestión de energía.

Bajo Voltaje (De Mayor Crecimiento) vs. Alto Voltaje (Dominante)

El segmento de Baja Tensión está emergiendo rápidamente en el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction, impulsado por la creciente demanda de soluciones de energía compactas en dispositivos móviles y vehículos eléctricos. Con un fuerte impulso hacia la eficiencia energética, los fabricantes se están enfocando en crear componentes de Baja Tensión más eficientes. Por otro lado, los dispositivos de Alta Tensión siguen siendo dominantes, utilizados principalmente en aplicaciones ferroviarias y sistemas de energía renovable, como inversores solares y convertidores de energía de turbinas eólicas. Los componentes de Alta Tensión son esenciales para mejorar el rendimiento energético general en las redes eléctricas, consolidando su posición en el mercado.

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Perspectivas regionales

América del Norte: Innovación y Aumento de la Demanda

América del Norte es el mercado más grande para IGBT y MOSFET de Super Junction, con aproximadamente el 40% de la cuota de mercado global. El crecimiento de la región está impulsado por la creciente demanda de soluciones energéticamente eficientes en aplicaciones automotrices e industriales, junto con regulaciones gubernamentales de apoyo que promueven tecnologías de energía renovable. El impulso hacia los vehículos eléctricos (EV) y las tecnologías de redes inteligentes cataliza aún más la expansión del mercado. Estados Unidos y Canadá son los países líderes en esta región, con actores importantes como Infineon Technologies, ON Semiconductor y Texas Instruments estableciendo una fuerte presencia. El panorama competitivo se caracteriza por la innovación continua y asociaciones estratégicas destinadas a mejorar la oferta de productos. La presencia de instalaciones de fabricación avanzadas y centros de I+D refuerza la posición de la región como un centro para la tecnología IGBT.

Europa: Apoyo Regulatorio y Crecimiento

Europa es el segundo mercado más grande para IGBT y MOSFET de Super Junction, representando alrededor del 30% de la cuota de mercado global. La región se beneficia de regulaciones estrictas destinadas a reducir las emisiones de carbono, lo que impulsa la adopción de tecnologías energéticamente eficientes. El Pacto Verde Europeo y diversas iniciativas nacionales son fundamentales para fomentar la innovación y la inversión en tecnologías de semiconductores, particularmente en los sectores automotriz y de energía renovable. Alemania, Francia y los Países Bajos son actores clave en este mercado, con empresas como STMicroelectronics y Nexperia liderando la carga. El panorama competitivo se caracteriza por un enfoque en la sostenibilidad y los avances tecnológicos, con inversiones significativas en I+D. La presencia de una cadena de suministro robusta y la colaboración entre las partes interesadas de la industria mejoran aún más la dinámica del mercado de la región.

Asia-Pacífico: Crecimiento Rápido y Adopción

Asia-Pacífico está experimentando un crecimiento rápido en el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction, con aproximadamente el 25% de la cuota de mercado global. La expansión de la región está impulsada por la creciente industrialización, urbanización y la creciente demanda de vehículos eléctricos. Las iniciativas gubernamentales que promueven la energía renovable y las tecnologías de redes inteligentes también son impulsores significativos del crecimiento del mercado, creando un entorno regulatorio favorable para los fabricantes de semiconductores. China, Japón y Corea del Sur son los países líderes en esta región, con actores importantes como Mitsubishi Electric y Toshiba haciendo contribuciones sustanciales. El panorama competitivo se caracteriza por estrategias de precios agresivas y avances tecnológicos. La presencia de una gran base de consumidores y un número creciente de startups en el espacio de semiconductores mejora aún más el potencial del mercado de la región.

Medio Oriente y África: Potencial de Mercado Emergente

La región de Medio Oriente y África está emergiendo gradualmente en el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction, actualmente con aproximadamente el 5% de la cuota de mercado global. El crecimiento está impulsado principalmente por el aumento de las inversiones en proyectos de energía renovable y el desarrollo de infraestructura. Los gobiernos de la región se están enfocando en diversificar sus economías, lo que incluye mejorar sus capacidades tecnológicas en la fabricación y aplicaciones de semiconductores. Países como Sudáfrica y los Emiratos Árabes Unidos están liderando la carga, con iniciativas destinadas a fomentar la innovación y atraer inversiones extranjeras. El panorama competitivo aún se está desarrollando, con algunos actores clave comenzando a establecer su presencia. El potencial de crecimiento de la región es significativo, especialmente a medida que la demanda de soluciones energéticamente eficientes continúa aumentando.

Mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction Regional Image

Jugadores clave y perspectivas competitivas

El mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction se caracteriza actualmente por un paisaje competitivo dinámico, impulsado por la creciente demanda de soluciones energéticamente eficientes en diversos sectores, incluidos el automotriz, industrial y de energía renovable. Jugadores clave como Infineon Technologies (Alemania), Mitsubishi Electric (Japón) y ON Semiconductor (EE. UU.) están estratégicamente posicionados para aprovechar sus avances tecnológicos y amplios portafolios de productos. Infineon Technologies (Alemania) se centra en la innovación en tecnologías de semiconductores de potencia, mientras que Mitsubishi Electric (Japón) enfatiza la expansión regional y las asociaciones para mejorar su presencia en el mercado. ON Semiconductor (EE. UU.) está persiguiendo activamente iniciativas de transformación digital para optimizar sus operaciones y mejorar el compromiso con los clientes. Colectivamente, estas estrategias contribuyen a un entorno competitivo que se centra cada vez más en la diferenciación tecnológica y soluciones centradas en el cliente.

En términos de tácticas comerciales, las empresas están localizando cada vez más la fabricación para reducir los tiempos de entrega y mejorar la resiliencia de la cadena de suministro. La estructura del mercado parece estar moderadamente fragmentada, con varios jugadores compitiendo por la cuota de mercado. Sin embargo, la influencia colectiva de grandes empresas como STMicroelectronics (Francia) y Texas Instruments (EE. UU.) es notable, ya que continúan innovando y expandiendo sus ofertas. Esta estructura competitiva fomenta un entorno donde la colaboración y las asociaciones estratégicas son esenciales para mantener una ventaja competitiva.

En agosto de 2025, Infineon Technologies (Alemania) anunció el lanzamiento de una nueva familia de IGBTs diseñados para aplicaciones de vehículos eléctricos, lo que se espera que mejore la eficiencia y el rendimiento. Este movimiento estratégico subraya el compromiso de Infineon de abordar la creciente demanda de soluciones de movilidad eléctrica, posicionando a la empresa favorablemente en un mercado en rápida evolución. La introducción de estos IGBTs avanzados puede impactar significativamente la dinámica competitiva al establecer nuevos estándares de rendimiento.

En septiembre de 2025, Mitsubishi Electric (Japón) presentó una asociación estratégica con un importante fabricante de automóviles para co-desarrollar módulos de potencia de próxima generación. Esta colaboración probablemente acelerará el desarrollo de soluciones innovadoras adaptadas para vehículos eléctricos, mejorando así la posición competitiva de Mitsubishi Electric. Tales asociaciones no solo fomentan la innovación, sino que también permiten a las empresas compartir recursos y experiencia, lo cual es crucial en un mercado impulsado por la tecnología.

En julio de 2025, ON Semiconductor (EE. UU.) amplió sus capacidades de fabricación al invertir en una nueva instalación centrada en la producción de MOSFET de Super Junction. Esta inversión refleja la estrategia de ON Semiconductor para mejorar su capacidad de producción y satisfacer la creciente demanda de dispositivos de potencia de alto rendimiento. Al fortalecer sus capacidades de fabricación, la empresa busca mejorar la fiabilidad y la capacidad de respuesta de la cadena de suministro, que son factores críticos para mantener la competitividad en el mercado.

A partir de octubre de 2025, las tendencias actuales en el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction indican un fuerte énfasis en la digitalización, la sostenibilidad y la integración de la inteligencia artificial en el desarrollo de productos. Las alianzas estratégicas están moldeando cada vez más el paisaje competitivo, ya que las empresas reconocen el valor de la colaboración para impulsar la innovación. Mirando hacia adelante, parece que la diferenciación competitiva evolucionará de la competencia tradicional basada en precios a un enfoque en la innovación tecnológica, la mejora de la fiabilidad de la cadena de suministro y las prácticas sostenibles. Este cambio puede redefinir cómo las empresas se posicionan en el mercado, enfatizando la importancia de la adaptabilidad y las estrategias visionarias.

Las empresas clave en el mercado Mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction incluyen

Desarrollos de la industria

  • Q2 2024: Infineon lanza nuevos MOSFETs CoolSiC™ y módulos IGBT para aplicaciones industriales y automotrices Infineon Technologies anunció el lanzamiento de sus últimos MOSFETs CoolSiC™ y módulos IGBT, dirigidos a los mercados de electrónica de potencia industrial y automotriz. Los nuevos productos están diseñados para mejorar la eficiencia y la fiabilidad en vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.
  • Q2 2024: onsemi amplía la capacidad de fabricación de carburo de silicio e IGBT con una nueva instalación en la República Checa onsemi abrió una nueva instalación de fabricación en la República Checa para ampliar su capacidad de producción de dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC) e IGBT, con el objetivo de satisfacer la creciente demanda de clientes automotrices e industriales.
  • Q1 2024: Mitsubishi Electric desarrolla un nuevo módulo IGBT de 7ª generación para inversores de vehículos eléctricos Mitsubishi Electric anunció el desarrollo de su módulo IGBT de 7ª generación, diseñado para su uso en inversores de vehículos eléctricos. El nuevo módulo ofrece una mayor densidad de potencia y eficiencia para los vehículos eléctricos de próxima generación.
  • Q2 2024: STMicroelectronics y ZF forman una empresa conjunta para módulos de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics y ZF anunciaron una empresa conjunta para producir módulos de potencia de carburo de silicio, incluidos MOSFETs de superjunción, para aplicaciones automotrices e industriales. La asociación tiene como objetivo acelerar la adopción de electrónica de potencia energéticamente eficiente.
  • Q1 2024: Renesas Electronics presenta nuevos MOSFETs de superjunción para el mercado de inversores solares Renesas Electronics lanzó una nueva línea de MOSFETs de superjunción optimizados para aplicaciones de inversores solares, ofreciendo mayor eficiencia y menores pérdidas para sistemas de energía renovable.
  • Q2 2024: Infineon Technologies invertirá 1.000 millones de euros en un nuevo centro de I+D de IGBT y MOSFET en Alemania Infineon Technologies anunció una inversión de 1.000 millones de euros para construir un nuevo centro de investigación y desarrollo en Alemania enfocado en avanzar en tecnologías de IGBT y MOSFET de superjunción para los mercados automotrices e industriales.
  • Q1 2025: Texas Instruments presenta controladores de puerta IGBT de próxima generación para automatización industrial Texas Instruments lanzó sus controladores de puerta IGBT de próxima generación, diseñados para mejorar el rendimiento y la fiabilidad en sistemas de automatización industrial y control de motores.
  • Q2 2024: Hitachi Energy asegura un contrato importante para suministrar módulos de potencia basados en IGBT para un proyecto de electrificación ferroviaria en Europa Hitachi Energy ganó un contrato significativo para suministrar módulos de potencia basados en IGBT para un proyecto de electrificación ferroviaria a gran escala en Europa, apoyando la transición hacia un transporte sostenible.
  • Q1 2025: Fuji Electric anuncia una nueva planta de fabricación para módulos IGBT en Vietnam Fuji Electric reveló planes para abrir una nueva planta de fabricación en Vietnam dedicada a la producción de módulos IGBT para clientes automotrices e industriales, ampliando su presencia global.
  • Q2 2025: Infineon Technologies nombra un nuevo Director de Tecnología para liderar la innovación en semiconductores de potencia Infineon Technologies anunció el nombramiento de un nuevo Director de Tecnología, encargado de impulsar la innovación en tecnologías de IGBT y MOSFET de superjunción para mercados emergentes.
  • Q1 2024: STMicroelectronics lanza nuevos MOSFETs de superjunción para infraestructura de carga rápida STMicroelectronics presentó una nueva serie de MOSFETs de superjunción diseñados para su uso en infraestructura de carga rápida para vehículos eléctricos, ofreciendo mejor eficiencia y rendimiento térmico.
  • Q2 2025: Mitsubishi Electric asegura un contrato de 200 millones de dólares para suministrar módulos IGBT a un fabricante de vehículos eléctricos chino Mitsubishi Electric fue adjudicada un contrato de 200 millones de dólares para suministrar módulos IGBT a un importante fabricante de vehículos eléctricos chino, apoyando la expansión de la producción de vehículos eléctricos en China.

Perspectivas futuras

Mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction Perspectivas futuras

Se proyecta que el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction crecerá a una Tasa de Crecimiento Anual Compuesto (CAGR) del 5.37% desde 2024 hasta 2035, impulsado por los avances en vehículos eléctricos, energía renovable y automatización industrial.

Nuevas oportunidades se encuentran en:

  • Desarrollo de módulos de potencia de alta eficiencia para sistemas de energía renovable.

Para 2035, se espera que el mercado consolide su posición como líder en electrónica de potencia.

Segmentación de mercado

Perspectiva del tipo de mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction

  • Transistor Bipolar de Puerta Aislada
  • MOSFET de Super Junction
  • MOSFET de SiC
  • MOSFET de GaN

Perspectiva de uso final del mercado de IGBT y MOSFET de superjunción

  • Electrónica de Potencia
  • Accionamientos de Motores
  • Fuentes de Alimentación conmutadas
  • Sistemas de Almacenamiento de Energía

Perspectiva de Aplicación del Mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction

  • Energía Renovable
  • Automotriz
  • Electrónica de Consumo
  • Automatización Industrial
  • Telecomunicaciones

Perspectiva de clasificación de voltaje del mercado de IGBT y MOSFET de superjunción

  • Baja Tensión
  • Media Tensión
  • Alta Tensión

Alcance del informe

TAMAÑO DEL MERCADO 202417.34 (mil millones de USD)
TAMAÑO DEL MERCADO 202518.27 (mil millones de USD)
TAMAÑO DEL MERCADO 203530.83 (mil millones de USD)
TASA DE CRECIMIENTO ANUAL COMPUESTO (CAGR)5.37% (2024 - 2035)
COBERTURA DEL INFORMEPronóstico de ingresos, panorama competitivo, factores de crecimiento y tendencias
AÑO BASE2024
Período de Pronóstico del Mercado2025 - 2035
Datos Históricos2019 - 2024
Unidades de Pronóstico del Mercadomil millones de USD
Empresas Clave PerfiladasAnálisis de mercado en progreso
Segmentos CubiertosAnálisis de segmentación del mercado en progreso
Oportunidades Clave del MercadoLa creciente demanda de soluciones energéticamente eficientes impulsa la innovación en el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction.
Dinámicas Clave del MercadoEl aumento de la demanda de soluciones energéticamente eficientes impulsa la innovación y la competencia en el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction.
Países CubiertosAmérica del Norte, Europa, APAC, América del Sur, MEA

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FAQs

¿Cuál es la valoración de mercado proyectada para el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction en 2035?

La valoración de mercado proyectada para el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction en 2035 es de 30.83 mil millones de USD.

¿Cuál fue la valoración total del mercado para el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction en 2024?

La valoración total del mercado para el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction en 2024 fue de 17.34 mil millones de USD.

¿Cuál es la CAGR esperada para el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction durante el período de pronóstico 2025 - 2035?

Se espera que la CAGR para el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction durante el período de pronóstico 2025 - 2035 sea del 5.37%.

¿Cuál segmento de aplicación se proyecta que crecerá más en el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction?

Se proyecta que el segmento de aplicaciones de Automatización Industrial crezca de 5.0 USD mil millones en 2024 a 8.0 USD mil millones para 2035.

¿Cómo se comparan las valoraciones de los Transistores Bipolares de Puerta Aislada con los MOSFETs de Super Junction?

Los Transistores Bipolares de Puerta Aislada están valorados en 6.0 mil millones de USD en 2024, proyectándose que alcanzarán 10.5 mil millones de USD para 2035, mientras que se espera que los MOSFETs de Super Junction crezcan de 4.5 mil millones de USD a 8.0 mil millones de USD.

¿Cuáles son los actores clave en el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction?

Los actores clave en el mercado incluyen Infineon Technologies, Mitsubishi Electric, ON Semiconductor, STMicroelectronics, Texas Instruments, Toshiba, Nexperia, Renesas Electronics y Vishay Intertechnology.

¿Cuál es el crecimiento proyectado para el segmento de Electrónica de Consumo en el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction?

Se proyecta que el segmento de Electrónica de Consumo crezca de 2.5 mil millones de USD en 2024 a 4.5 mil millones de USD para 2035.

¿Qué segmento de clasificación de voltaje muestra el mayor potencial de crecimiento en el mercado de IGBT y MOSFET de Super Junction?

Se espera que el segmento de Alta Tensión crezca de 6.14 mil millones de USD en 2024 a 11.23 mil millones de USD para 2035.

¿Qué segmento de uso final se anticipa que tendrá la mayor valoración para 2035?

Se anticipa que el segmento de uso final de los Sistemas de Almacenamiento de Energía alcanzará una valoración de 9.33 mil millones de USD para 2035.

¿Cómo se compara el mercado de los Motor Drives con el de la Electrónica de Potencia en términos de crecimiento?

Se proyecta que el segmento de Accionamientos Eléctricos crezca de 4.0 mil millones de USD en 2024 a 7.0 mil millones de USD para 2035, mientras que se espera que la Electrónica de Potencia aumente de 5.0 mil millones de USD a 9.0 mil millones de USD.

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