×
Request Free Sample ×

Kindly complete the form below to receive a free sample of this Report

* Please use a valid business email

Leading companies partner with us for data-driven Insights

clients tt-cursor
Hero Background

非易失性双列直插内存模块市场

ID: MRFR/SEM/31881-HCR
100 Pages
Aarti Dhapte
October 2025

非易失性双列直插内存模块市场研究报告:按技术(相变存储器、磁阻RAM、忆阻器)、按应用(消费电子、数据中心、汽车、工业自动化)、按最终用途(个人计算、移动设备、企业存储)、按形态因素(DIMM、SO-DIMM、LTDIMM)以及按地区(北美、欧洲、南美、亚太、中东和非洲) - 预测到2035年

分享
Download PDF ×

We do not share your information with anyone. However, we may send you emails based on your report interest from time to time. You may contact us at any time to opt-out.

Non Volatile Dual In Line Memory Module Market
 Infographic
Purchase Options

非易失性双列直插内存模块市场 摘要

根据MRFR分析,非易失性双列直插内存模块市场规模在2024年估计为83.5亿美元。非易失性双列直插内存模块行业预计将从2025年的88.47亿美元增长到2035年的157.7亿美元,预计在2025年至2035年的预测期内,年均增长率(CAGR)为5.95。

主要市场趋势和亮点

非易失性双列直插内存模块市场正经历强劲增长,推动因素包括技术进步和各个行业日益增长的需求。

  • 市场对消费电子产品的需求正在上升,特别是在北美,北美仍然是最大的市场。

市场规模与预测

2024 Market Size 83.5亿美元
2035 Market Size 157.7(亿美元)
CAGR (2025 - 2035) 5.95%

主要参与者

美光科技(美国)、三星电子(韩国)、SK 海力士(韩国)、英特尔公司(美国)、西部数据公司(美国)、东芝公司(日本)、南亚科技公司(台湾)、华邦电子公司(台湾)

非易失性双列直插内存模块市场 趋势

非易失性双列直插内存模块市场目前正经历显著的转型,这一转型受到技术进步和对高效数据存储解决方案需求增加的推动。随着各行业的发展,对能够在无电源情况下保留数据的内存模块的需求愈发明显。这一趋势在消费电子、汽车和工业应用等领域尤为明显,这些领域对可靠性和性能的要求至关重要。这些内存模块的集成预计将提升各种设备的整体功能,从而吸引更广泛的消费者群体。

消费电子领域的需求上升

非易失性双列直插内存模块市场正在受到消费电子行业的高度关注。随着设备变得愈加复杂,对能够在无电源情况下保留数据的可靠内存解决方案的需求变得愈加关键。这一趋势表明,智能手机、平板电脑和笔记本电脑中集成先进内存模块的转变正在加速,从而提升用户体验和设备性能。

关注能源效率

在非易失性双列直插内存模块市场中,越来越强调能源高效解决方案。制造商正在探索创新设计,以降低功耗,同时保持高性能。这一趋势反映了对可持续性的更广泛承诺,因为公司寻求最小化其环境影响,并吸引环保意识强的消费者。

在汽车应用中的集成

汽车行业正越来越多地采用非易失性双列直插内存模块用于各种应用,包括先进的驾驶辅助系统和信息娱乐系统。这一趋势表明,智能汽车的转变正在加速,其中可靠的数据存储对功能和安全至关重要。随着汽车技术的进步,对这些内存模块的需求可能会增长。

非易失性双列直插内存模块市场 Drivers

内存技术的进步

非易失性双列直插内存模块市场正在经历增长,推动因素是内存技术的进步。3D NAND 和其他下一代内存架构等创新正在提升非易失性内存模块的性能和容量。这些技术进步使制造商能够生产更快、更高效且能够存储更多数据的内存解决方案。随着技术的不断发展,对高性能内存解决方案的需求预计将上升。非易失性内存市场预计将显著增长,估计在未来五年内市场规模可能增加超过 30%。这一增长表明非易失性双列直插内存模块市场在适应最新技术趋势方面具有良好的环境。

数据中心的扩展

非易失性双列直插内存模块市场因全球数据中心的扩展而有望增长。随着企业越来越依赖云计算和大数据分析,对强大内存解决方案的需求加剧。数据中心需要高性能内存模块以高效管理大量数据。报告显示,数据中心市场预计到2026年将达到超过2000亿美元的估值,这可能会对非易失性内存细分市场产生重大影响。非易失性双列直插内存模块特别适合数据中心,因为它们提供更快的访问时间和更高的能效。这一趋势表明,非易失性双列直插内存模块市场前景看好,因为它与数据中心日益增长的基础设施需求相一致。

日益关注数据安全

非易失性双列直插内存模块市场正受到对数据安全日益关注的影响。随着网络威胁变得愈加复杂,组织正在优先考虑安全的数据存储解决方案。非易失性内存模块提供增强的数据保护功能,使其成为关注数据完整性的企业的一个有吸引力的选择。预计到2024年,非易失性双列直插内存模块的市场规模将超过3000亿美元,突显了安全内存解决方案的重要性。这一趋势表明,随着公司寻求在数据存储策略中实施强有力的安全措施,非易失性双列直插内存模块市场可能会经历需求的增加。对数据安全的重视可能会推动非易失性内存技术的创新和投资。

人工智能的日益普及

非易失性双列直插内存模块市场正经历需求激增,这主要是由于人工智能技术的日益普及。人工智能应用需要大量的内存容量和速度,而非易失性内存模块正好可以提供这些。随着组织将人工智能整合到其运营中,对高效数据存储解决方案的需求变得至关重要。预计人工智能市场将显著增长,估计在未来几年内年复合增长率将超过40%。这一增长可能会推动对非易失性内存解决方案的需求,因为它们提供了满足人工智能工作负载所需的可靠性和性能。因此,非易失性双列直插内存模块市场将从这一趋势中受益,因为制造商寻求满足人工智能驱动应用的不断变化的需求。

嵌入式系统的需求上升

非易失性双列直插内存模块市场受益于各个行业对嵌入式系统日益增长的需求。嵌入式系统是现代设备不可或缺的一部分,包括家用电器、医疗设备和工业机械。这些系统需要可靠且高效的内存解决方案以实现最佳功能。嵌入式系统市场预计将以约10%的复合年增长率增长,表明对非易失性内存模块的强劲需求。随着制造商寻求提升嵌入式设备的性能和可靠性,非易失性双列直插内存模块市场可能会看到更高的采用率。这一趋势强调了非易失性内存在支持多样化嵌入式应用功能方面的重要性。

市场细分洞察

按技术:相变存储器(最大)与磁阻RAM(增长最快)

在非易失性双列直插内存模块市场中,相变存储器(PCM)占据了最大的市场份额,得益于其先进的速度和可靠性。PCM因其在数据存储和检索中提供卓越性能的能力而受到广泛关注,成为制造商和消费者的首选。同时,尽管磁阻随机存取存储器(MRAM)目前的市场份额较小,但由于其独特的优势,如更低的功耗和更高的耐用性,正在迅速获得关注,吸引了各个技术领域。
这一细分市场的增长趋势主要受到持续的技术进步和对高性能内存解决方案日益增长的需求的影响。主要驱动因素包括在消费电子、汽车和数据中心中对非易失性存储技术的日益采用。对更快、更高效的内存解决方案的推动也为新兴技术如忆阻器铺平了道路,这些技术提供了新颖的能力,但在市场渗透和应用范围方面仍在发展中。

技术:相变存储器(主导)与磁阻RAM(新兴)

相变存储器(PCM)被认为是非易失性双列直插内存模块市场的主导者,其在数据管理方面表现出卓越的速度和可靠性。PCM技术通过在原子级别改变材料的状态,实现非晶态和晶态之间的快速切换,从而转化为更快的读写速度。另一方面,磁阻随机存取存储器(MRAM)作为一种竞争性替代方案正在崛起,利用磁态进行数据存储。由于其潜在的低功耗和更高的数据保留耐久性,MRAM正受到关注,特别是在需要频繁数据更新和高性能的应用中。

按应用:消费电子(最大)与数据中心(增长最快)

非易失性双列直插内存模块市场展现出多样化的应用领域,其中消费电子产品成为最大的细分市场。该细分市场受益于智能手机、平板电脑及其他消费设备中内存模块的广泛采用,推动了显著的市场存在。相比之下,数据中心细分市场虽然份额较小,但由于对高速数据处理和存储解决方案的需求不断增加,正在迅速获得关注。随着云计算和大数据分析的持续扩展,数据中心对高效内存解决方案的需求预计将显著上升。

非易失性双列直插内存模块市场的增长趋势主要受到技术创新和设备连接性增强的推动。消费电子产品细分市场依然强劲,得益于持续的产品升级和消费者对高性能设备的需求。同时,数据中心细分市场预计将见证最快的增长,受到人工智能应用和物联网(IoT)普及的推动,迫切需要能够支持更高数据吞吐量和可靠性的先进内存解决方案。

消费电子:主导与数据中心:新兴

非易失性双列直插内存模块市场的消费电子领域已确立其主导地位,这在很大程度上归功于电子设备在日常生活中的普遍存在。该领域利用高产量生产和消费者对手机、笔记本电脑和游戏机中更快、更高效的内存解决方案的需求。相比之下,数据中心领域正成为一个关键的增长领域,推动这一领域发展的原因是对大规模数据存储和处理能力的需求。随着组织越来越多地迁移到基于云的服务,对提供速度和可靠性的数据管理的增强内存模块的需求持续上升。这两个领域都是必不可少的,但它们服务于具有不同需求的市场。

按最终用途:个人计算(最大)与移动设备(增长最快)

非易失性双列内存模块(NVDIMM)市场在其主要终端使用细分市场中表现出多样化的分布。个人计算机占据了重要份额,受益于对笔记本电脑和台式机中先进内存解决方案的持续需求。随着用户越来越寻求高效、可靠和快速的内存选项以提升性能,该细分市场持续蓬勃发展。相反,移动设备正在迅速崛起,展示出巨大的增长潜力,推动因素是智能手机和平板电脑的日益普及,这些设备需要先进的内存配置。

个人计算机(主导)与移动设备(新兴)

个人计算仍然是NVDIMM市场的主导细分市场,其特点是对高性能内存在各种计算设备中的稳定需求。该细分市场的强劲表现归因于持续的技术进步以及对处理速度和效率的不懈追求。另一方面,移动设备虽然目前市场份额较小,但由于移动技术的日益普及,正成为一个新兴细分市场。智能手机、平板电脑和可穿戴设备对更快、更可靠内存选项的需求激增,推动了这一领域的创新和投资,使其成为未来增长的重要领域。

按形状因素:DIMM(最大)与 SO-DIMM(增长最快)

在非易失性双列内存模块市场中,形状因素细分展示了DIMM、SO-DIMM和LTDIMM之间的多样分布。由于其稳健性和适用于服务器及桌面应用的特性,DIMM继续保持其作为最大细分市场的地位,吸引了大量市场关注。SO-DIMM主要用于笔记本电脑和紧凑型系统,因便携和轻量计算设备需求的增加而获得了关注,推动了其在该领域的快速增长。

DIMM(主流)与 SO-DIMM(新兴)

DIMM(双列直插内存模块)以其较大的尺寸和高性能而闻名,是桌面和服务器环境中容量和速度至关重要的首选。由于在企业解决方案中的广泛应用,它在市场上占据主导地位,提供了充足的带宽和高制造标准。另一方面,SO-DIMM(小型轮廓DIMM)正在迅速崛起,受到移动计算和紧凑型设备激增的推动。SO-DIMM使制造商能够节省空间而不牺牲内存性能,这对笔记本电脑和高密度计算解决方案至关重要。随着对便携技术需求的增长,SO-DIMM预计将在市场中成为越来越重要的参与者。

获取关于非易失性双列直插内存模块市场的更多详细见解

区域洞察

北美:技术创新领导者

北美是非易失性双列直插内存模块(NVDIMM)的最大市场,约占全球市场份额的40%。该地区的增长受到对高性能计算、数据中心和云服务日益增长的需求推动。对技术创新的监管支持以及对研发的投资进一步促进了市场扩张。主要科技公司的存在和强大的基础设施也对这一增长贡献显著。

北美的竞争格局以美光科技、英特尔公司和西部数据等关键参与者为特征。这些公司处于技术进步的前沿,专注于提升内存性能和效率。该地区对创新和质量的强烈重视使其在NVDIMM市场中处于领先地位,吸引投资并促进合作伙伴关系以推动未来增长。

欧洲:新兴技术中心

欧洲是非易失性双列直插内存模块的第二大市场,约占全球市场份额的30%。该地区的增长受到汽车、医疗和工业等行业对先进技术日益采用的推动。旨在促进数字化转型和可持续发展的监管举措也是重要的驱动因素。欧盟对提升技术能力的关注支持了NVDIMM市场的扩展。

欧洲的领先国家包括德国、法国和英国,这些国家是内存模块行业多个关键参与者的所在地。像三星电子和SK海力士这样的公司在市场上建立了强大的存在,促进了竞争格局。该地区对创新的承诺以及行业利益相关者之间的合作为市场增长创造了良好的环境,确保欧洲在非易失性双列直插内存模块领域保持重要地位。

亚太地区:快速增长的区域

亚太地区在非易失性双列直插内存模块市场中正经历快速增长,约占全球市场份额的25%。该地区的扩展受到对消费电子、云计算和人工智能应用日益增长的需求推动。政府推动技术基础设施和半导体制造投资的举措是支持这一增长的关键监管催化剂。中产阶级的崛起和城市化进一步增强了该地区的市场需求。

中国、日本和韩国等国在NVDIMM市场中处于领先地位,当地制造商如东芝和南亚科技也做出了重要贡献。竞争格局由成熟企业和新兴初创公司混合构成,促进了创新并推动了内存技术的进步。该地区对研发的关注确保了新产品和解决方案的稳定供应,使亚太地区成为全球市场的重要参与者。

中东和非洲:新兴市场潜力

中东和非洲地区在非易失性双列直插内存模块市场中逐渐崭露头角,目前约占全球市场份额的5%。增长主要受到对技术基础设施的投资增加和各行业对数据存储解决方案需求上升的推动。旨在提升数字能力和吸引外国投资的政府举措是支持该地区市场发展的关键监管因素。

南非和阿联酋等国在这一增长中处于前沿,越来越多的科技初创公司和对智能技术的投资正在增加。竞争格局正在演变,本地和国际参与者都在寻求在市场中建立立足点。随着该地区继续发展其技术能力,对NVDIMM的需求预计将上升,为利益相关者提供显著的增长机会。

非易失性双列直插内存模块市场 Regional Image

主要参与者和竞争洞察

全球非易失性双列直插内存模块市场是一个动态且快速发展的领域,具有显著的技术进步和激烈的竞争。随着对数据中心、服务器和消费电子等各种应用中高性能内存解决方案的需求不断增长,该领域的制造商正在努力创新并区分其产品。市场由一系列成熟企业和新兴公司构成,各自努力通过独特的价值主张、增强的产品能力和战略合作伙伴关系来争夺市场份额。

随着消费者需求的演变和技术的进步,竞争环境预计将加剧,促使公司不仅关注性能提升,还关注成本效率和可靠性。

Netlist通过对高质量内存解决方案和创新设计的承诺,在全球非易失性双列直插内存模块市场中建立了强大的存在。该公司的产品组合包括先进的内存模块,以其卓越的性能和可靠性而闻名,成为需要可靠内存解决方案的企业的首选。Netlist的优势在于其强大的研发努力,使其能够在市场趋势和技术进步中保持领先。

通过专注于非易失性内存技术,该公司在满足对不仅提升性能而且提供数据保留可靠性的内存解决方案日益增长的需求方面处于良好位置。其战略合作和举措进一步增强了其市场地位,提高了其在这个快速发展的行业中的竞争优势。

ADATA科技通过利用对消费者需求和市场动态的全面理解,在全球非易失性双列直插内存模块市场中开辟了重要的市场细分。该公司的广泛产品组合包括以速度、耐用性和先进功能而闻名的高性能内存模块,在消费和企业领域都备受推崇。ADATA的优势在于其将尖端技术整合到产品中的能力,确保其满足从游戏到专业计算等多种应用的需求。

该公司对质量保证和客户满意度的承诺巩固了其在市场上的声誉。此外,ADATA积极探索新市场并与行业领导者合作的主动方法增强了其竞争力,使其能够有效应对不断变化的消费者偏好和内存模块领域的技术创新。

非易失性双列直插内存模块市场市场的主要公司包括

行业发展

  • 2024年第一季度:美光宣布下一代NVDIMM-P模块用于企业服务器 美光科技推出了其下一代NVDIMM-P(非易失性双列直插内存模块 - 持久性),旨在为企业服务器提供更好的性能和数据持久性,以满足关键任务应用的需求。
  • 2024年第二季度:三星推出行业首款32GB NVDIMM-P用于人工智能数据中心 三星电子推出了行业首款32GB NVDIMM-P模块,针对人工智能和高性能数据中心工作负载,标志着持久性内存技术的重要一步。
  • 2024年第二季度:SK海力士开始大规模生产NVDIMM-P模块用于企业存储 SK海力士宣布开始大规模生产其NVDIMM-P模块,旨在企业存储和服务器市场,提高数据可靠性和速度。
  • 2024年第三季度:英特尔与联想宣布战略合作伙伴关系,将NVDIMM-P集成到下一代服务器中 英特尔与联想揭示了一项合作伙伴关系,将英特尔的NVDIMM-P技术集成到联想即将推出的服务器平台中,旨在提升企业客户的性能和数据完整性。
  • 2024年第三季度:西部数据推出新款NVDIMM-N模块用于云基础设施 西部数据推出了一系列新款NVDIMM-N模块,专为云基础设施提供商设计,重点提高耐用性和数据保护。
  • 2024年第四季度:美光扩展爱达荷州博伊西的NVDIMM生产设施 美光科技宣布扩展其位于爱达荷州博伊西的NVDIMM生产设施,以满足数据中心和企业客户日益增长的需求。
  • 2024年第四季度:三星获得NVDIMM-P模块的JEDEC认证 三星电子获得了其NVDIMM-P模块的JEDEC认证,确保符合行业标准,加速在企业市场的采用。
  • 2025年第一季度:SK海力士与全球云服务提供商签署重要供应合同,提供NVDIMM-P SK海力士宣布与一家领先的全球云服务提供商签署重要供应合同,支持下一代数据中心的部署。
  • 2025年第一季度:英特尔任命新任持久性内存部门负责人 英特尔宣布任命一位新高管负责其持久性内存部门,反映出公司对推进NVDIMM技术的承诺。
  • 2025年第二季度:美光通过绿色债券发行筹集10亿美元用于NVDIMM研发 美光科技完成了一项10亿美元的绿色债券发行,所得款项用于能源高效NVDIMM产品的研发。
  • 2025年第二季度:三星在硅谷开设新的持久性内存研发中心 三星电子在硅谷开设了一个新的研究与开发中心,专注于持久性内存技术,包括NVDIMM创新。
  • 2025年第三季度:西部数据与戴尔宣布合作,将NVDIMM-N集成到PowerEdge服务器中 西部数据与戴尔科技宣布合作,将西部数据的NVDIMM-N模块集成到戴尔的PowerEdge服务器系列中,增强数据保护和性能。

未来展望

非易失性双列直插内存模块市场 未来展望

非易失性双列直插内存模块市场预计将在2024年至2035年间以5.95%的年均增长率增长,推动因素包括技术进步和对数据存储解决方案的需求增加。

新机遇在于:

  • 为数据中心开发高容量 NV-DIMM

到2035年,市场预计将实现强劲增长,巩固其在技术领域的地位。

市场细分

非易失性双列直插内存模块市场应用前景

  • 消费电子
  • 数据中心
  • 汽车
  • 工业自动化

非易失性双列直插内存模块市场形态展望

  • DIMM
  • SO-DIMM
  • LTDIMM

非易失性双列直插内存模块市场技术展望

  • 相变存储器
  • 磁阻随机存取存储器
  • 忆阻器

非易失性双列直插内存模块市场最终用途展望

  • 个人计算机
  • 移动设备
  • 企业存储

报告范围

2024年市场规模83.5(十亿美元)
2025年市场规模88.47(十亿美元)
2035年市场规模157.7(十亿美元)
年复合增长率(CAGR)5.95%(2024 - 2035)
报告覆盖范围收入预测、竞争格局、增长因素和趋势
基准年2024
市场预测期2025 - 2035
历史数据2019 - 2024
市场预测单位十亿美元
主要公司简介市场分析进行中
覆盖的细分市场市场细分分析进行中
主要市场机会对数据密集型应用中节能内存解决方案的需求增长推动了非易失性双列内存模块市场的发展。
主要市场动态对节能解决方案的需求上升推动了非易失性双列内存模块技术和应用的创新。
覆盖的国家北美、欧洲、亚太、南美、中东和非洲

发表评论

FAQs

到2035年,非易失性双列直插内存模块市场的预计市场估值是多少?

预计到2035年,非易失性双列直插内存模块市场的市场估值为157.7亿美元。

2024年非易失性双列直插内存模块市场的整体市场估值是多少?

2024年非易失性双列直插内存模块市场的整体市场估值为83.5亿美元。

在2025年至2035年的预测期内,非易失性双列直插内存模块市场的预期CAGR是多少?

在2025年至2035年的预测期内,非易失性双列直插内存模块市场的预期CAGR为5.95%。

到2035年,哪个技术领域预计将拥有最高的估值?

到2035年,忆阻器技术领域预计将达到77.7亿美元的估值。

消费电子应用领域的估值在2024年到2035年之间如何变化?

消费电子应用领域的估值预计将从2024年的25亿美元增加到2035年的45亿美元。

非易失性双列直插内存模块市场的关键参与者有哪些?

市场的主要参与者包括美光科技、三星电子、SK 海力士、英特尔公司、西部数据公司、东芝公司、南亚科技公司和华邦电子公司。

到2035年,数据中心应用细分市场的预计估值是多少?

预计到2035年,数据中心应用领域的估值将达到40亿美元。

到2035年,预计哪个最终使用细分市场将增长最多?

个人计算终端使用细分市场预计到2035年将增长至62.5亿美元的估值。

到2035年,SO-DIMM形态的预期估值是多少?

预计到2035年,SO-DIMM形态的预期估值将达到45亿美元。

LTDIMM形态的估值在2024年到2035年之间如何变化?

预计LTDIMM形态的估值将从2024年的25亿美元增加到2035年的50.2亿美元。

下载免费样本

请填写以下表格以获取本报告的免费样本

Compare Licence

×
Features License Type
Single User Multiuser License Enterprise User
Price $4,950 $5,950 $7,250
Maximum User Access Limit 1 User Upto 10 Users Unrestricted Access Throughout the Organization
Free Customization
Direct Access to Analyst
Deliverable Format
Platform Access
Discount on Next Purchase 10% 15% 15%
Printable Versions